HEROSYS 所推出之工業級 DDR3 UDIMM(Unbuffered DIMM)記憶體模組,嚴格依循 JEDEC 標準設計,專為桌上型電腦、工業電腦與嵌入式應用所打造。模組採用國際一線品牌 DRAM 原廠晶片(鎂光、SK 海力士、三星),並經過完整功能驗證與長時間穩定性測試,確保在多變與嚴苛環境下依然維持絕佳可靠度。
HEROSYS DDR3 模組同樣強調環保與耐用,通過 RoHS 無鉛與無鹵規範,並可選配 敷形塗料、底部填充與抗硫化保護,提升產品於高濕、高污染環境中的耐受力,是工控與嵌入式應用中可靠穩定的記憶體選擇。
優勢/特點
採用DRAM原廠高品質DDR3 DRAM晶片(鎂光/SK海力士/三星)
無On-DIMM溫度感測器
PCB 高30.00mm,針腳間距1.0mm (pin)
240-pin 插槽雙列直插式記憶體模組 (DIMM)
VDD= 1.35V (+0.1V ~ -0.067V) / 1.5V(± 0.075V)
IC表面溫度:0°C至85°C
0°C到85°C行刷新週期:7.8μs
無鉛 (符合RoHS)
無鹵
敷形塗料 / 底部填充 (選用)
抗硫化 (選用)
Model | DDR3 UDIMM |
Memory technology | DDR3 Memory |
Module Typ | UDIMM |
Speed | 1333/1600 MT/s |
Density | 4GB/8GB |
Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 244pin |
Bus Width | x64 |
Voltage | 1.5V/1.35V |
PCB Height | 1.18” |
Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (Tc) |
Anti-Sulfuration | Y |
Recommended Application | Factory Automation/ Gaming/ Healthcare/ Internet of Things |
产品料号 | |
HSM-D3C4G1600HYP | DDR3,4GB, 1600Hz,MT |
HSM-D3C8G1600HYP | DDR3,8GB, 1600Hz,MT |