工業級記憶體模組

DDR4 SODIMM 記憶體

優勢/特點 小型雙列直插式記憶體模組 通過全面測試,具最佳化穩定性和效能 採用原廠 IC,滿足嚴格業界標準 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制 JEDEC 標準 1.2V(1.26V ~ 1.14V)電壓 運作環境:0°C ~ 95°C(Tc) 符合 RoHS 標準 通過 CE / FCC 認證

HEROSYS DDR4 SODIMM (Small Outline DIMM) 記憶體模組依 JEDEC 標準設計,專為筆記型電腦、小型工業電腦與嵌入式系統等空間受限應用打造。模組採用原廠高品質 DRAM 晶片(鎂光 / SK 海力士 / 三星),傳輸速度高達 3200 MT/s,提供穩定高速的資料處理效能。

HEROSYS DDR4 SODIMM 是專為穩定性、相容性與可靠性所打造的高效記憶體模組,為工控與嵌入式應用提供值得信賴的選擇。


優勢/特點

  • 傳輸速度高達 3200 MT/s

  • 採用DRAM原廠高品質DRAM晶片(鎂光/SK海力士/三星)

  • 無On-DIMM溫度感測器

  • PCB 高30.00 mm, 針腳間距0.50 mm (pin)

  • 260-pin插槽小型雙列直插式記憶體模組 (SO-DIMM)

  • VDD = VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)

  • IC表面溫度低於85°C,平均刷新間隔時間7.8us

  • IC表面溫度85°C≦IC表面溫度≦95°C,平均刷新間隔時間3.9us

  • 無鉛 (符合RoHS)

  • 無鹵

  • 敷形塗料 / 底部填充 (選用)

  • 抗硫化 (選用)



Model
DDR4 SODIMM
Memory technologyDDR4 Memory

Module Typ

SODIMM
Speed2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionNon-ECC Unbuffered Memory
Pin Number260pin
Bus Width x64
Voltage1.2V
PCB Height1.18 Inches
Operating Temperature0°C ~ 85°C (Tc)
Anti-SulfurationY
Recommended ApplicationFactory Automation/ Gaming/ Healthcare/ Internet of Things


产品料号
HSM-D4C4G3200M2M-SDDR4,4GB, 3200Hz,MT
HSM-D4C8G3200M2M-SDDR4,8GB, 3200Hz,MT
HSM-D4C16G3200M2M-SDDR4,16GB, 3200Hz,MT
HSM-D4C32G3200M2M-SDDR4,32GB, 3200Hz,MT


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